關(guān)于高性能氧化鋅電阻片的研究進(jìn)展探究

一、ZnO電阻片的導(dǎo)電原理研討進(jìn)展 
　　氧化鋅電阻閥片的導(dǎo)電原理歸于根底理論研討，國內(nèi)外關(guān)于氧化鋅壓敏陶瓷的研討時(shí)刻長達(dá)三十年，期間，取得了豐盛的研討成果。表1列出了ZnO電阻閥片導(dǎo)電原理的研討情況。 
　　上個(gè)世紀(jì)五六十時(shí)代，日本首先研討氧化鋅壓敏電阻片導(dǎo)電原理，到目前為止，雪崩擊穿原理、Schottky原理和兩步傳輸理論被比較廣泛地提及和使用。 
　　雪崩擊穿原理，取“雪崩”之名，在于著重其如雪崩一樣綿綿不絕。當(dāng)單個(gè)電子從陰極走向陽極時(shí)，在電場(chǎng)強(qiáng)度足夠大的情況下，單個(gè)電子與晶體原子彼此磕碰，發(fā)生新的電離子，然后這兩個(gè)電子在走向陽極的過程中又與其他晶體原子相撞，發(fā)生其他電子，循環(huán)下去，電子就會(huì)像雪崩似的綿綿不絕地添加。這個(gè)原理與我國道家的“道生一，終身二，二生三，三生萬物”類似。 
　　Schottky勢(shì)壘原理研討者許多，也被大多數(shù)人廣為承受。圖2為金屬與n型半導(dǎo)體構(gòu)成的肖特基勢(shì)壘圖。肖特基勢(shì)壘指的是具有整流特性的金屬-半導(dǎo)體觸摸，它與具有歐姆觸摸的絕緣層的空間約束電流不同，空間約束電流不具有整流性。這項(xiàng)原理的使用技術(shù)在氧化鋅電阻片的保護(hù)和穩(wěn)壓功用方面具有很好的功效。 
　　兩步傳輸理論的根底是雙耗盡層模型，它著重電子分兩步進(jìn)行的傳輸。第一步的傳輸途經(jīng)是由氧化鋅晶粒到界面層，第二步的途經(jīng)是由界面層傳到其他的晶粒。與一般半導(dǎo)體導(dǎo)電不同，這種導(dǎo)電方法是雙向的，不受正負(fù)電極約束，其長處是能夠承受較大電流密度的電流沖擊，響應(yīng)速度納秒級(jí)，能夠完成通斷時(shí)刻與過電壓或許雷電沖擊時(shí)刻同步，這一明顯優(yōu)勢(shì)奠定了氧化鋅電阻片在高低壓輸電線路、電站、及其它電氣設(shè)備最為經(jīng)濟(jì)實(shí)用的保護(hù)位置，這個(gè)理論目前仍在不斷研討中。 

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